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Si5440DC
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
16
12
8
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0
Package Limited
8
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4
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75
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T C - Case Temperat u re (°C)
Current Derating*
T C - Case Temperat u re (°C)
Power Derating
* The power dissipation P D is based on T J(max) = 150 °C, using junction-to-case thermal resistance, and is more useful in settling the upper
dissipation limit for cases where additional heatsinking is used. It is used to determine the current rating, when this rating falls below the package
limit.
Document Number: 69056
S-83037-Rev. A, 22-Dec-08
www.vishay.com
5
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SI5441DC 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:
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SI5441DC-T1-E3 功能描述:MOSFET 20V 5.3A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI5441DC-T1-GE3 功能描述:MOSFET 20V 5.3A 2.5W 55mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI5442DU-T1-GE3 功能描述:MOSFET 20V 10mOhm@4.5V 25A N-Ch RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:20 V 闸/源击穿电压:+/- 8V 漏极连续电流:25 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:10 mOhms 配置:Single 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerPAK ChipFET-8 Single 封装:Reel